Domov Novinky Samsung spustil výrobu pamätí typu DDR3 4 GB

Samsung spustil výrobu pamätí typu DDR3 4 GB

Zdielať

Samsung DDR3 4 GB pamateSamsung začal výrobu najmodernejších pamäťových čipov typu DDR3 založenú na 20 nm výrobnej technológii. Široké uplatnenie nájdu v mnohých smeroch IT odvetví. Nová generácia pamäte je vyrobená s využitím najmodernejšej 20nm technológie.

Samsung tak opäť o kúsok posunul hranice pri výrobe pamätí DRAM, a to vďaka imerznej litografii s laserom na báze argónu a fluóru, ktorá umožnila využiť najmodernejší 20 nm výrobný proces pri produkcii pamäťových modulov DDR3 DRAM s kapacitou 4 GB.

V prípade pamätí typu DRAM, u ktorých sa každá pamäťová bunka skladá z navzájom prepojeného kondenzátora a tranzistora, je ďalšia miniaturizácia oproti pamäti typu NAND Flash, kde každá bunka obsahuje iba tranzistor, ťažšia. Pre ďalšiu miniaturizáciu zložitejších pamäťových čipov typu DRAM musel Samsung upraviť technológie používané pri návrhu a výrobe pamäťových obvodov a prišiel s technológiou dvojitej expozície a upraveným postupom nanášania atómovej vrstvy.

Nový postup vyvinutý spoločnosťou Samsung je prelomovým krokom vpred, pretože umožňuje produkovať pamäte DDR3 s použitím 20nm výrobného procesu na existujúcich fotolitografických zariadeniach, a dáva tak základ pre budúcu výrobu DRAM čipov na báze 10 nm výrobného procesu. Spoločnosť Samsung taktiež úspešne vytvorila ultratenké dielektrické vrstvy tvorené kondenzátormi neuveriteľnej pravidelnosti, čo umožňuje dosiahnuť lepšie výkonnostné parametre pamäťovej bunky.

Zdroj: Tlačová správa Samsung

Odpovedať

Vložte komentár prosím!
Zadajte svoje meno