Spoločnosť Samsung Foundry oznámila, že začína masovú výrobu čipov prvej generácie na 3nm výrobnom procese.
Je založený na novej tranzistorovej architektúre GAA (Gate-All-Around), ktorá je ďalším krokom po FinFET. V porovnaní s 5 nm môžu čipy prvej generácie 3 nm spoločnosti poskytovať až o 23% vyšší výkon, až o 45% nižšiu spotrebu energie a o 16% menšiu plochu. Druhá generácia 3 nm bude ešte pôsobivejšia, v porovnaní s 5 nm Samsung uvádza, že dosiahne 50% zníženie spotreby energie, až 30% zlepšenie výkonu a 35% zníženie plochy. Firma teraz predbehla TSMC, ktorá by mala začať masovú výrobu 3 nm čipov v druhej polovici roka. Konštrukcia tranzistorov Gate-All-Around (GAA) umožňuje zlievarni zmenšovať tranzistory bez toho, aby sa poškodila ich schopnosť prenášať prúd. Konštrukcia GAAFET používaná v 3 nm má charakteristiku MBCFET, ktorá je znázornená na obrázku nižšie.
